通过控制反应时间，百货可以得到具有多级次结构的空心微管状混相COFs。
(b)si-TaS2中，全部期Ta原子插层引起的能量变化ΔE随浓度c的变化曲线。(c)单体、玩意三聚体、四聚体和六方相的原子结构。
百货(b)3R堆垛的si-TaS2的ic-Ta原子形成能Ef随插层浓度变化的包络曲线。结果被第一性原理分子动力学模拟所证实，全部期并与最近的实验观察相一致。玩意(b)基于si-TaS2的逻辑器件与门。
百货图3 si-MX2双分子层火山曲线及相图。全部期插图展示了在MD模拟中si-WS2由单体向三聚体的转变。
利用外来原子或分子，玩意包括碱金属、玩意贵金属等金属原子和一系列有机分子，插入该间隙可以改变材料的晶格结构和成分，进而有效的调控材料的电学、磁学等性质，因此插层技术在热电、催化、能源等领域具有有益的潜在应用前景。
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